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发布时间：2024-04-28 浏览次数：19
pmn-pt晶体
pmn-pt晶体是一种新型的压电材料，具有高压电常数、大机电耦合系数、高介电常数、低损耗的特性，尤其其压电性能比普通的压电材料要提高10倍左右。此外，pmn-pt晶体还表现出优异的非线性光学性能和热释电性能。这种材料的应用范围非常广泛，不仅可以满足新一代高性能压电换能器、非线性光学器件和光电探测器件（如红外探测器）的核心材料需求，而且在许多领域都能发挥重要作用。例如，pmn-pt晶体是人类已知的压电材料中，压电灵敏度最高的一类材料，其压电感应效率是现有pzt陶瓷的将近3倍。此外，第二代压电晶体pin-pmn-pt（铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅）晶体在不牺牲铁电性能的情况下，其相变温度 (tr-t)与绞顽场 (ec)得到明显提升，应用在对环境温度较高和功率较大的场合，例如军用水底声纳以及热点传感器等领域。
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产品名称 |
pmn-pt晶体基片 |
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技术参数 |
晶体结构：赝立方晶系 |
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晶格常数：a=~4.024 å |
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密度：8.1 g/cm3 |
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熔点：1280°c |
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硬度： 3.5mohs |
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热膨胀系数10.4x10-6/k |
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耦合常数：k33(longitudinal mode) >92%kt(thickness mode) 59-62%k33'(beam mode) 84-88% |
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压电系数d33 ：>2000 pc/n |
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介电常数e(at 1khz after poling) ：4000 – 6000 |
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介电损耗：tan d<0.9居 |
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里温度 ：135-150°c |
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生长方法：坩埚下降法 |
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产品规格 |
常规晶向： |
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晶向公差： ±0.5° |
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常规尺寸：10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm，5x5x0.5mm |
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抛光情况：单抛、双抛、细磨 |
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抛光面粗糙度：ra<15a （单晶内部有畴） |
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注：尺寸及方向可按照客户要求定做。 |
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晶体缺陷 |
人工金属单晶存在常见晶体缺陷等。 |
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标准包装： |
1000级超净室，100级超净袋封装 |