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发布时间：2024-04-12 浏览次数：45
nb:srtio3晶体基片
掺铌钛酸锶单晶与纯钛酸锶有相似的结构，但有电导性。掺铌钛酸锶的电阻率在0.1 – 0.001 w-cm之间变化随着掺铌浓度在0.1-0.001wt%之间不同。传导的单晶基片为薄膜和器件提供了电极。普若菲特提供高质量低成本的掺铌钛酸锶基片。
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产品名称 |
掺铌钛酸锶(nb:srtio3)晶体基片 |
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技术参数 |
晶体结构：立方晶系 |
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晶格常数：a=3.905 å |
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nb掺杂：0.7% , 0.5% , 0.05% |
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密度：5.175 g/cm3 |
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熔点：2080°c |
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硬度：6 mohs |
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热膨胀系数：10.4×10-6/℃ |
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在10 ghz的损耗正切：~5×10-4 @ 300k，~3×10-4 @ 77k |
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化学稳定性：不溶于水 |
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生长方法：熔焰法 |
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产品规格 |
常规晶向 |
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晶向公差：±0.5° |
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常规尺寸：10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm, 5x5x0.5mm |
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抛光情况：单抛、双抛、细磨 |
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抛光面粗糙度：<5a |
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注：可根据客户需求提供特殊的尺寸和方向. |
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晶体缺陷 |
人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。 |
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标准包装 |
1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装 |
晶体材料咨询电话：199-5653-2471王经理