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发布时间：2024-04-12 浏览次数：41
mgo:linbo3晶片
纯同成份铌酸锂晶体的缺点是抗激光损伤阙值很低，这限制了它的应用领域。当掺入5mol%mgo后，所生长mgo:ln晶体的抗激光损伤阙值提高1-2个数量级，极化反转电压从21kv/mm降至6kv/mm，紫外吸收边紫移至310mm，oh-吸收峰红移至3535cm-1,这些变化极大的拓展了ln晶体的应用范围。
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产品名称 |
光学级掺镁铌酸锂（mgo:linbo3)晶片 |
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产品规格 |
晶体结构：三方晶系 |
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晶格常数：a=5.147å c=13.856å |
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密度：4.7g/cm3 |
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熔点：1253℃ |
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生长方法：提拉法 |
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产品规格： |
常规晶向：z cut |
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晶向公差：±0.5° |
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常规尺寸：10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm5x5x0.5mm |
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抛光情况：单抛、双抛、细磨 |
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注：尺寸及方向可按照客户要求定做。 |
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晶体缺陷： |
人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。 |
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标准包装： |
1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装 |