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发布时间：2024-03-25 浏览次数：110
ge(锗)主要用途有：制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料。
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产品名称 |
ge晶体基片 |
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技术参数 |
晶体结构：立方晶系 |
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晶格常数：5.6754 å |
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密度：5.323 g/cm3 |
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熔点：937.4 ℃ |
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介电常数：16.2 |
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热导率（w/m·k）：60.2 |
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掺杂物质：不掺杂；掺sb；掺in或ga； |
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类型：n型 和 p型 |
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电阻率 w·cm：>35 0.05 0.05-0.1 |
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epd:< 4x103/cm2 < 4x103/cm2 < 4x103/cm2 |
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生长方法：直拉法 |
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产品规格 |
常规晶向：、、 |
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晶向公差：±0.5° |
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常规尺寸：10x10x0.5mm，10x5x0.5mm,dia2",dia3" |
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抛光情况：单抛、双抛 |
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表面粗糙度：< 5a |
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注：尺寸及方向可按照客户要求定做。 |
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晶体缺陷 |
人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。 |
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标准包装 |
1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装 |