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发布时间：2024-03-25 浏览次数：121
gaas晶体
砷化镓是一种重要的半导体材料。属ⅲ－ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构。砷化镓是半导体材料中，兼具多方面优点的材料,但用它制作的晶体三极管的放大倍数小，导热性差，不适宜制作大功率器件。
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产品名称 |
砷化镓(gaas)晶体基片 |
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技术参数 |
晶体结构：立方晶系 |
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晶格常数：a=5.6534å |
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导电类型：n型掺si；n型掺te；不掺杂；p型掺ga |
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熔点：1237°c |
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禁带宽度:1.4电子伏 |
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介电常数：13.1 |
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位错密度：<5x103cm^2 等 |
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迁移率：(3500-3600)cm2/vs 等 |
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生长方法:vgf生产方法 |
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产品规格 |
常规晶向：、、 |
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常规尺寸：10x10x0.35mm；dia2″x0.35mm； |
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抛光情况：单抛、双抛 |
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表面粗糙度：<15a |
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注：尺寸及方向可按照客户要求定做。 |
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晶体缺陷 |
人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。 |
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标准包装 |
1000级超净室100级超净袋 |