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发布时间：2024-03-23 浏览次数：102
ga:zno晶体新一代宽禁带，直接带隙的多功能 ii-v 族半导体材料，具有优秀的光电、压电、气敏、压敏等特性。
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产品名称 |
ga:zno晶体基片 |
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技术参数
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晶体结构：六方晶系 |
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晶格常数： a= 3.252 å , c = 5.313 å |
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熔点：1975℃ |
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硬度：4 mohs |
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密度：~5.7 g/cm3 |
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带隙：3.37ev |
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介电常数：8.5 |
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比热容：0.125 cal/gm |
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导电性：n type |
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导热系数：0.006 cal/cm/ ok |
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热膨胀系数：2.90 x 10-6/ok |
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位错密度：< 4 x 104 /cm2 |
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产品规格
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常规晶向： (0001) |
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常规尺寸：5x5x0.5mm、10x5x0.5mm、10x10x0.5mm |
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表面粗糙度：<5a |
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注：尺寸可按照客户要求定做。 |
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晶体缺陷 |
人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。 |
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标准包装 |
1000级超净室100级超净袋真空包装 |