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发布时间：2024-03-23 浏览次数：104
近十年来，β-氧化镓（β-ga2o3）材料和器件技术取得了快速发展，其禁带宽度eg=4.9ev，远超碳化硅(约3.4ev)、氮化镓(约3.3ev)和硅(1.1ev)，其导电性能和发光特性良好，具有很强的电子学、光学和热学性能。它具有高折射率、可调谐的拉曼散射响应、低的漏电流和以非常稳定的外延特性。它还具有出色的小波纹动态动态特性和高的发射效率。此外，它还具有很高的压集能和硒的抗氧化能。
ß-ga2o3是一种透明的氧化物半导体材料，在光电子器件方面有广阔的应用前景 ，被用作于ga基半导体材料的绝缘层，以及紫外线滤光片。它还可以用作o2化学探测器。
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产品名称 |
ß-ga2o3单晶基片 |
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技术参数 |
晶体结构：单斜晶系 |
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晶格常数：a=12.23a,b=3.04a, c=5.80a, ß=103.7° |
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密度：5.95g/cm3 |
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熔点：1725℃ |
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掺杂类型：n型 |
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电阻率：r≤0.2ω·cm |
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迁移率：300cm2/v·s |
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禁带宽：4.8-4.9v |
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产品规格 |
常规晶向： (100) |
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常规尺寸：10x10x0.7-0.8mm. |
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抛光情况：单抛、双抛 |
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表面粗糙度：<15a |
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注：尺寸可按照客户要求定做。 |
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晶体缺陷 |
人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。 |
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标准包装 |
1000级超净室100级超净袋真空包装 |