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发布时间：2024-03-23 浏览次数：105
gan晶体氮化镓是氮和镓的化合物，是一种直接能隙的半导体,由于具有化学稳定性好、热传导性能优良、击穿电压高、大功率，近年在光电子领域和高温高频电子应用备受关注，是目前最优秀的半导体材料。
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产品名称： |
gate 单晶基片 |
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技术参数： |
电阻率:n/a |
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产品规格; |
晶向:(0001) |
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尺寸:10x10x1.0mm |
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抛光情况:抛光，自然解理面 |
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注:可按客户要求定制方向和尺寸 |
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标准包装 |
标准包装:1000 级超净室，100级超净袋 |
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产品名称 |
氮化镓(gan)晶体基片 |
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技术参数 |
晶体结构：六方晶系 |
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晶格常数a= 3.186 å , c = 5.186 å |
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传导类型：n型掺si；n型不掺杂 |
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可用表面积：>90% |
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位错密度：（5-9）x105ω.cm |
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电阻率：r<0.05 ω.cm；r<0.1ω.cm |
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介电常数：8.9 |
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ttv：≤15um |
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密度：6.15（g/cm3） |
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生长方法：hvpe（氢化物气相外延法） |
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产品规格 |
常规晶向： (0001) |
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常规尺寸：10.5x10x0.35mm、5x5x0.35mm |
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表面粗糙度：<5å |
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注：尺寸可按照客户要求定做。 |
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晶体缺陷 |
人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。 |
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标准包装 |
1000级超净室100级超净袋或单片盒装 |