| 联系买球官网平台 | 比较正规的买球软件-买球官网平台/
发布时间：2024-03-30 浏览次数：85
inp非常适用于高频器件，如高电子迁移率晶体管和异质结双极晶体管(hbt)等方面。inp基器件在笔米波、通讯、防撞系统、图像传感器等领域有广泛应用
|
产品名称 |
磷化铟(inp)晶体基片 |
|
技术参数 |
晶体结构:立方晶系 |
|
晶格常数:a=5.4505 å |
|
|
掺杂:none;sn;s;fe:zn |
|
|
密度:4.81g/cm3 |
|
|
硬度:3 hohs |
|
|
导电类型:n;n;n;si;p |
|
|
折射率:3.45 |
|
|
载流子浓度:1-2x1016 1-4x1018 1-3x1018 .64x1018 |
|
|
位错密度:<5x104 cm-2 |
|
|
生长方法:lec |
|
|
熔点:1062℃ |
|
|
弹性模量:7.1e1ldym cm-2 |
|
|
产品规格 |
常规晶向: |
|
常规尺寸:2″~x0. 5mm 10x10x0.5mm |
|
|
抛光情况:单抛 |
|
|
表面粗糙度:15a |
|
|
注:只寸及方向可按照客户要求定做 |
|
|
晶体缺陷 |
人工金属单晶存在常见晶体缺陷，表面可能会有小黑点，微小气泡等 |
|
标准包装 |
1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装 |