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发布时间：2024-03-16 浏览次数：194
ain单晶衬底是一种具有特殊性能的宽禁带半导体材料
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晶体结构: |
六方晶系 |
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晶格常数: |
a=3.112å;c=4.982å |
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密度: |
3.23g/cm3 |
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热导率: |
285w/mk |
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可用区域: |
>80% |
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epd : |
<1e5 cm-2 |
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吸收系数: |
<80 cm-1 |
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常规晶向: |
c平面(0001 |
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常规晶向: |
士1° |
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晶向公差: |
10x10x0.45mm±50μm、5x5x0.45mm±50μm |
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常规尺寸: |
双抛 |
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抛光情况: |
a1面:cp抽光(rms<0.8nm) |
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抛光面粗糙度: |
n面:光学抛光(rms<3nm) |